STW8NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW8NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW8NA60
STW8NA60 Datasheet (PDF)
stw8na60.pdf

STW8NA60STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NA60 600 V
stw8na80.pdf

STW8NA80STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) ID800 V
Другие MOSFET... STW7N105K5 , STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , IRF4905 , STW8NA80 , STW8NB100 , STW9NA80 , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , STWA57N65M5 .
History: SFP12N65 | 5N65KL-TF1-T | FDR856P | EKI10198 | MMFT60R115PCTH | STW80NE06-10 | UTT50P10
History: SFP12N65 | 5N65KL-TF1-T | FDR856P | EKI10198 | MMFT60R115PCTH | STW80NE06-10 | UTT50P10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet