STW8NA60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW8NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW8NA60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8NA60 даташит

 ..1. Size:123K  st
 stw8na60.pdf pdf_icon

STW8NA60

STW8NA60 STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NA60 600 V

 8.1. Size:48K  st
 stw8na80.pdf pdf_icon

STW8NA60

STW8NA80 STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID 800 V

 8.2. Size:128K  njs
 sth8na80fi stw8na80.pdf pdf_icon

STW8NA60

 9.1. Size:406K  1
 sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdf pdf_icon

STW8NA60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, 5N65, STW8NA80, STW8NB100, STW9NA80, STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5