STW8NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW8NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Id| ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 8
A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
tr ⓘ -
Время нарастания: 35
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175
pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1
Ohm
Тип корпуса:
TO-247
Аналог (замена) для STW8NA60
-
подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW8NA60 Datasheet (PDF)
..1. Size:123K st
stw8na60.pdf 

STW8NA60STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NA60 600 V
8.1. Size:48K st
stw8na80.pdf 

STW8NA80STH8NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) ID800 V
9.2. Size:267K st
stw8nc90z.pdf 

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V
9.3. Size:175K st
stw8nb100.pdf 

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V
9.4. Size:124K st
stw8n.pdf 

STW8NA60STH8NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NA60 600 V
9.5. Size:311K st
stw8nb90.pdf 

STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V
9.6. Size:422K st
stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf 

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP8NK80Z 800 V
9.7. Size:323K st
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf 

STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V
9.9. Size:263K st
stw8nc80z.pdf 

STW8NC80ZN-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.7A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC80Z 800 V
9.10. Size:240K st
stw8nc70z.pdf 

STW8NC70ZN-CHANNEL 700V - 1.1 - 7A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC70Z 700 V
9.11. Size:274K st
stw8n120k5.pdf 

STW8N120K5DatasheetN-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industrys lowest RDS(on) x area3 Industrys best FoM (figure of merit)21 Ultra-low gate charge 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2)Applications Switc
9.12. Size:56K st
stw8nb80.pdf 

STW8NB80N - CHANNEL 800V - 1.2 - 7.5A - TO-247PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTW8NB80 800 V
Другие MOSFET... STW7N105K5
, STW7NA100
, STW7NA80
, STW7NA90
, STW80NE06-10
, STW80NF06
, STW80NF55-08
, STW88N65M5
, 4435
, STW8NA80
, STW8NB100
, STW9NA80
, STW9NK95Z
, STWA12N120K5
, STWA20N95K5
, STWA45N65M5
, STWA57N65M5
.