Справочник MOSFET. MCH6664

 

MCH6664 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCH6664
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363 SOT-363F
 

 Аналог (замена) для MCH6664

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH6664 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  onsemi
mch6664.pdfpdf_icon

MCH6664

Ordering number : ENA2281AMCH6664P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 30V, 1.5A, 325m , Dual MCPH6Features ON-resistance Pch : RDS(on)1=250m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS --30 VGate to Source Voltage VGSS 20 V

 8.1. Size:644K  onsemi
mch6663.pdfpdf_icon

MCH6664

MCH6663 Power MOSFET www.onsemi.com 30V, 188m, 1.8A, -30V, 325m, -1.5A,Complementary Dual Features VDSS RDS(on) Max ID Max ON-Resistance Nch : RDS(on)1=145m (typ) 188 m@ 10V N-Ch Pch : RDS(on)1=250m (typ) 343 m@ 4.5V 1.8A 30V 4V Drive 378 m@ 4V Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET 325 m@ -10V P-Ch Pb-Free, Halogen Fre

 8.2. Size:1002K  onsemi
mch6660.pdfpdf_icon

MCH6664

MCH6660Power MOSFETwww.onsemi.com 20V, 136m , 2A, 20V, 266m , 1.5A Complementary DualFeatures ON-resistance Nch : RDS(on)1=105m (typ.) 1.8V Drive ESD Diode - Protected Gate Pch : RDS(on)1=205m (typ.) Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Ultrasmall Package MCPH6(2.0mm 2.1mm mmt) 0.85 Nch MOSFET and Pch MOSFET are p

 8.3. Size:578K  onsemi
mch6662.pdfpdf_icon

MCH6664

MCH6662Power MOSFETwww.onsemi.com20V, 160m , 2A, Dual N-ChannelFeatures ON-Resistance Nch : RDS(on)1=120m (typ) 1.8V Drive ESD Diode - Protected Gate Pb-Free, Halogen Free and RoHS ComplianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 V

Другие MOSFET... MCH6351 , MCH6353 , MCH6412 , MCH6429 , MCH6660 , MCH6661 , MCH6662 , MCH6663 , RU6888R , MCP04N60 , MCP04N65 , MCP87018 , MCP87022 , MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 .

History: 4N100L-TF1-T | UT3401ZL-AE3-R | AP15P10GJ-HF | AOT502 | AOT4N60 | UPA2815T1S

 

 
Back to Top

 


 
.