MCH6664. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCH6664

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.325 Ohm

Тип корпуса: SOT-363 SOT-363F

Аналог (замена) для MCH6664

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH6664 даташит

 ..1. Size:854K  onsemi
 mch6664.pdf pdf_icon

MCH6664

Ordering number ENA2281A MCH6664 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 30V, 1.5A, 325m , Dual MCPH6 Features ON-resistance Pch RDS(on)1=250m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain to Source Voltage VDSS --30 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V

 8.1. Size:644K  onsemi
 mch6663.pdf pdf_icon

MCH6664

MCH6663 Power MOSFET www.onsemi.com 30V, 188m , 1.8A, -30V, 325m , -1.5A, Complementary Dual Features VDSS RDS(on) Max ID Max ON-Resistance Nch RDS(on)1=145m (typ) 188 m @ 10V N-Ch Pch RDS(on)1=250m (typ) 343 m @ 4.5V 1.8A 30V 4V Drive 378 m @ 4V Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET 325 m @ -10V P-Ch Pb-Free, Halogen Fre

 8.2. Size:1002K  onsemi
 mch6660.pdf pdf_icon

MCH6664

MCH6660 Power MOSFET www.onsemi.com 20V, 136m , 2A, 20V, 266m , 1.5A Complementary Dual Features ON-resistance Nch RDS(on)1=105m (typ.) 1.8V Drive ESD Diode - Protected Gate Pch RDS(on)1=205m (typ.) Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Ultrasmall Package MCPH6(2.0mm 2.1mm mmt) 0.85 Nch MOSFET and Pch MOSFET are p

 8.3. Size:578K  onsemi
 mch6662.pdf pdf_icon

MCH6664

MCH6662 Power MOSFET www.onsemi.com 20V, 160m , 2A, Dual N-Channel Features ON-Resistance Nch RDS(on)1=120m (typ) 1.8V Drive ESD Diode - Protected Gate Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MCH6351, MCH6353, MCH6412, MCH6429, MCH6660, MCH6661, MCH6662, MCH6663, AO3400A, MCP04N60, MCP04N65, MCP87018, MCP87022, MCP87030, MCP87050, MCP87055, MCP87090