Справочник MOSFET. MCP04N60

 

MCP04N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCP04N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MCP04N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCP04N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  mcc
mcp04n60.pdfpdf_icon

MCP04N60

 7.1. Size:430K  mcc
mcp04n65.pdfpdf_icon

MCP04N60

Другие MOSFET... MCH6353 , MCH6412 , MCH6429 , MCH6660 , MCH6661 , MCH6662 , MCH6663 , MCH6664 , IRF730 , MCP04N65 , MCP87018 , MCP87022 , MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 , MCP87130 .

History: 2SK2939S

 

 
Back to Top

 


 
.