MCP04N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCP04N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MCP04N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCP04N60 даташит

 ..1. Size:454K  mcc
 mcp04n60.pdf pdf_icon

MCP04N60

 7.1. Size:430K  mcc
 mcp04n65.pdf pdf_icon

MCP04N60

Другие IGBT... MCH6353, MCH6412, MCH6429, MCH6660, MCH6661, MCH6662, MCH6663, MCH6664, IRFB31N20D, MCP04N65, MCP87018, MCP87022, MCP87030, MCP87050, MCP87055, MCP87090, MCP87130