MCU05N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCU05N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MCU05N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCU05N60 даташит

 ..1. Size:479K  mcc
 mcu05n60.pdf pdf_icon

MCU05N60

 0.1. Size:296K  mcc
 mcu05n60a.pdf pdf_icon

MCU05N60

Features

 0.2. Size:295K  inchange semiconductor
 mcu05n60a.pdf pdf_icon

MCU05N60

isc N-Channel MOSFET Transistor MCU05N60A FEATURES Drain Current I = 4.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие IGBT... MCPF04N65, MCPF05N60B, MCPF08N60, MCQ4822, MCU01N80, MCU02N80, MCU04N60, MCU04N65, IRFP064N, ME3587-G, MFE930, MFE960, MFE990, MGSF1N02ELT1, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA