Справочник MOSFET. MCU05N60

 

MCU05N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCU05N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MCU05N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  mcc
 mcu05n60.pdf pdf_icon

MCU05N60

 0.1. Size:296K  mcc
 mcu05n60a.pdf pdf_icon

MCU05N60

Features

 0.2. Size:295K  inchange semiconductor
 mcu05n60a.pdf pdf_icon

MCU05N60

isc N-Channel MOSFET Transistor MCU05N60AFEATURESDrain Current : I = 4.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CEM3138

 

 
Back to Top

 


 
.