SPI80N06S-80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPI80N06S-80
Маркировка: 1N0608
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
trⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
Тип корпуса: PG-TO262-3-1
Аналог (замена) для SPI80N06S-80
SPI80N06S-80 Datasheet (PDF)
spi80n06s-80 spp80n06s-08.pdf
SPB80N06S-08SPI80N06S-08, SPP80N06S-08SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Normal Level -Enhancement modeR (SMD version) 7.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green PackagePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive
spi80n06s-08 spp80n06s-08 spb80n06s-08.pdf
SPB80N06S-08SPI80N06S-08, SPP80N06S-08SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Normal Level -Enhancement modeR (SMD version) 7.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green PackagePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive
spb80n06s-08 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spp80n06s spb80n06s spi80n06s-08green.pdf
SPB80N06S-08SPI80N06S-08, SPP80N06S-08SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Normal Level -Enhancement modeR (SMD version) 7.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green PackagePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive
spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf
SPI80N06S2-08SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S42832N0608SPB80N06S2-08 P- TO263 -
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100