Справочник MOSFET. IXFX32N50Q

 

IXFX32N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX32N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFX32N50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX32N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  ixys
 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX32N50Q

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 7.1. Size:161K  ixys
 ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf pdf_icon

IXFX32N50Q

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 7.2. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX32N50Q

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

 9.1. Size:123K  ixys
 ixfk30n50q ixfx30n50q.pdf pdf_icon

IXFX32N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 30N50Q500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CEM2163 | CEH2321A | IRLSZ44A | FDP7N60NZ

 

 
Back to Top

 


 
.