SQ2315ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2315ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2315ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2315ES даташит

 ..1. Size:211K  vishay
 sq2315es.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2315ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 12 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.050 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.068 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 1.8 V 0.092 100 % Rg and UIS Tested ID (A) -

 9.1. Size:219K  vishay
 sq2318es.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2318ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) 6 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS

 9.2. Size:109K  vishay
 sq2319es.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2319ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.145 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) - 4.6 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Complia

 9.3. Size:255K  vishay
 sq2318aes.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2318AES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.031 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.036 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single ww

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ1912EEH, SQ2301ES, SQ2303ES, SQ2308BES, SQ2308CES, SQ2308ES, SQ2309ES, SQ2310ES, IRF830, SQ2318AES, SQ2318ES, SQ2319ES, SQ2325ES, SQ2328ES, SQ2337ES, SQ2348ES, SQ2351ES