Справочник MOSFET. SQ2315ES

 

SQ2315ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2315ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2315ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2315ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  vishay
 sq2315es.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2315ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 12DefinitionRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.050 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.068 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 1.8 V 0.092 100 % Rg and UIS TestedID (A) -

 9.1. Size:219K  vishay
 sq2318es.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2318ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS

 9.2. Size:109K  vishay
 sq2319es.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2319ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.145 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 4.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia

 9.3. Size:255K  vishay
 sq2318aes.pdf pdf_icon

SQ2315ES

SQ2318AESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singleww

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ1912EEH , SQ2301ES , SQ2303ES , SQ2308BES , SQ2308CES , SQ2308ES , SQ2309ES , SQ2310ES , IRF1405 , SQ2318AES , SQ2318ES , SQ2319ES , SQ2325ES , SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , SQ2351ES .

History: P0603BEAD | NVTFS4C13N | 2SK2676 | BSC070N10NS3G | BSG0813NDI | PHB20N06T | AOK095A60

 

 
Back to Top

 


 
.