Справочник MOSFET. SQ2319ES

 

SQ2319ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2319ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2319ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2319ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  vishay
sq2319es.pdfpdf_icon

SQ2319ES

SQ2319ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.145 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 4.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia

 8.1. Size:218K  vishay
sq2319ads.pdfpdf_icon

SQ2319ES

SQ2319ADSwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.145 Material categorization: ID (A) -4.6for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vis

 9.1. Size:219K  vishay
sq2318es.pdfpdf_icon

SQ2319ES

SQ2318ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS

 9.2. Size:255K  vishay
sq2318aes.pdfpdf_icon

SQ2319ES

SQ2318AESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singleww

Другие MOSFET... SQ2308BES , SQ2308CES , SQ2308ES , SQ2309ES , SQ2310ES , SQ2315ES , SQ2318AES , SQ2318ES , 8N60 , SQ2325ES , SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , SQ2351ES , SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES .

History: YJL2312AL

 

 
Back to Top

 


 
.