SQ2361ES - аналоги и даташиты транзистора

 

SQ2361ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQ2361ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.177 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2361ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2361ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  vishay
 sq2361es.pdf pdf_icon

SQ2361ES

SQ2361ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.177 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.246 Material categorization: ID (A) -2.8for definitions of compliance please seeConfiguration Single

 7.1. Size:220K  vishay
 sq2361ees.pdf pdf_icon

SQ2361ES

SQ2361EESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 Typical ESD Protection: 800 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.150 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 2.5 Material categorization:S For definitions of co

 8.1. Size:255K  vishay
 sq2361aees.pdf pdf_icon

SQ2361ES

SQ2361AEESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Typical ESD protection: 800 VRDS(on) () at VGS = -10 V 0.170 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.230 100 % Rg and UIS testedID (A) -2.9 Material categorization:Configuration Singlefor

 9.1. Size:251K  vishay
 sq2362es.pdf pdf_icon

SQ2361ES

SQ2362ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.068 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.075 Material categorization: ID (A) 4.3for definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ2319ES , SQ2325ES , SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , SQ2351ES , SQ2360EES , SQ2361EES , AO4468 , SQ2362ES , SQ2389ES , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , SQ3419EEV , SQ3426EEV .

History: IPB60R230P6

 

 
Back to Top

 


 
.