Справочник MOSFET. SQ3419EEV

 

SQ3419EEV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3419EEV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3419EEV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3419EEV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  vishay
 sq3419eev.pdf pdf_icon

SQ3419EEV

SQ3419EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.050 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.078 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.4 Typical ESD Protection 800 V

 8.1. Size:268K  vishay
 sq3419aeev.pdf pdf_icon

SQ3419EEV

SQ3419AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.061 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.093 Typical ESD protection 800 VID (A) -6.9 Material categorization:Configuration Singlefor defi

 9.1. Size:84K  vishay
 sq3418aeev.pdf pdf_icon

SQ3419EEV

Work-In-ProgressSQ3418AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Typical ESD protection 800 VRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 AEC-Q101 qualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 100 % Rg and UIS testedID (A) 8 Material categorization:Configuration Singl

 9.2. Size:210K  vishay
 sq3418eev.pdf pdf_icon

SQ3419EEV

SQ3418EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES , SQ2389ES , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , IRF840 , SQ3426EEV , SQ3426EV , SQ3427EEV , SQ3427EV , SQ3442EV , SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV .

History: OSG60R060HT3F | LDP9933ET1G | HY029N10B | AOTF2146L | CEU4204

 

 
Back to Top

 


 
.