Справочник MOSFET. SQ3427EV

 

SQ3427EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3427EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3427EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3427EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
 sq3427ev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3427EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.135 Material categorization:ID (A) -5.3for definitions of compliance please see Configuration Sing

 7.1. Size:207K  vishay
 sq3427eev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3427EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.082 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 5.5 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Typica

 8.1. Size:254K  vishay
 sq3427aeev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3427AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.135 Typical ESD protection 800 VID (A) -5.3Configuration Single Material categorization:for

 9.1. Size:258K  vishay
 sq3426aeev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3426AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Typical ESD protection 800 V HBMRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 100 % Rg and UIS testedID (A) 7 Material categorization: Configuration Singlefor definit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , SQ3419EEV , SQ3426EEV , SQ3426EV , SQ3427EEV , 50N06 , SQ3442EV , SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV , SQ3469EV , SQ3481EV , SQ3985EV .

History: HGP042N10AL | BSZ160N10NS3 | SM4146T9RL | SUP90N08-7M7P | BSC093N04LSG | IRFI9530GPBF | CJP04N60

 

 
Back to Top

 


 
.