SQ3427EV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ3427EV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SQ3427EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3427EV даташит

 ..1. Size:235K  vishay
 sq3427ev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3427EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.135 Material categorization ID (A) -5.3 for definitions of compliance please see Configuration Sing

 7.1. Size:207K  vishay
 sq3427eev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3427EEV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.082 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) - 5.5 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Typica

 8.1. Size:254K  vishay
 sq3427aeev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3427AEEV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.135 Typical ESD protection 800 V ID (A) -5.3 Configuration Single Material categorization for

 9.1. Size:258K  vishay
 sq3426aeev.pdf pdf_icon

SQ3427EV

SQ3426AEEV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Typical ESD protection 800 V HBM RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.042 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.063 100 % Rg and UIS tested ID (A) 7 Material categorization Configuration Single for definit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ2398ES, SQ3410EV, SQ3418EEV, SQ3418EV, SQ3419EEV, SQ3426EEV, SQ3426EV, SQ3427EEV, 50N06, SQ3442EV, SQ3456BEV, SQ3456EV, SQ3457EV, SQ3460EV, SQ3469EV, SQ3481EV, SQ3985EV