IXFX50N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFX50N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 330 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 1280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO247
IXFX50N50 Datasheet (PDF)
ixfx50n50 ixfx55n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFX 50N50 500 V 50 A 100 mPower MOSFETsIXFX 55N50 500 V 55 A 80 m trr 250 ns Single Die MOSFETPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 20 VVGSM
ixfk55n50 ixfx55n50 ixfn55n50.pdf
VDSS = 500 VIXFK 55N50HiPerFETTMID25 = 55 AIXFX 55N50Power MOSFETRDS(on) = 90mIXFN 55N50 250 nstrr Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C 500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)GCID25 TC = 25C55 AEIDM TC = 2
ixfk520n075t2 ixfx520n075t2.pdf
Advance Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 75VIXFK520N075T2HiperFETTMID25 = 520AIXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C75 V TabDSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 75 VV
Другие MOSFET... IXFX180N10 , IXFX24N100 , IXFX26N90 , IXFX28N60 , IXFX32N50Q , IXFX34N80 , IXFX44N60 , IXFX48N50Q , 13N50 , IXFX55N50 , IXFX90N20Q , IXFX90N30 , IXTA1N100 , IXTA2N80 , IXTH10N100 , IXTH10N90 , IXTH10P50 .
