SQ3469EV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ3469EV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 294 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
SQ3469EV Datasheet (PDF)
sq3469ev.pdf
SQ3469EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 20DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.036 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.064 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant
sq3460ev.pdf
SQ3460EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.030 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.038 100 % Rg and UIS TestedID (A) 8 Co
sq3461ev.pdf
SQ3461EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -12 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.025 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.032 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECRDS(on) () at VGS = -1.8 V 0.043ID (A) -8 Material cate
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
