Справочник MOSFET. IXFX90N20Q

 

IXFX90N20Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFX90N20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 190 nC
   Время нарастания (tr): 31 ns
   Выходная емкость (Cd): 1620 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXFX90N20Q

 

 

IXFX90N20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  ixys
ixfx90n20q ixfk90n20q.pdf

IXFX90N20Q
IXFX90N20Q

HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 VIXFK 90N20Q ID25 = 90 APower MOSFETs RDS(on) = 22 mQ-CLASSSingle MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trrPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150

 7.1. Size:197K  ixys
ixfk90n60x ixfx90n60x.pdf

IXFX90N20Q
IXFX90N20Q

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFK90N60XPower MOSFET ID25 = 90AIXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VSVGSS

 7.2. Size:125K  ixys
ixfx90n30 ixfk90n30.pdf

IXFX90N20Q
IXFX90N20Q

IXFX 90N30 VDSS = 300 VHiPerFETTMIXFK 90N30 ID25 = 90 APower MOSFETsRDS(on) = 33 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capabi

 9.1. Size:135K  ixys
ixfk94n50p2 ixfx94n50p2.pdf

IXFX90N20Q
IXFX90N20Q

Polar2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK94N50P2Power MOSFET ID25 = 94AIXFX94N50P2 RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IXFX)VGSM Tr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top