SQ4940EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ4940EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQ4940EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4940EY даташит

 ..1. Size:251K  vishay
 sq4940ey.pdf pdf_icon

SQ4940EY

SQ4940EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.035 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 7 AEC-Q101 Qualifiedc Configuration Dual Compliant to R

 8.1. Size:230K  vishay
 sq4940aey.pdf pdf_icon

SQ4940EY

SQ4940AEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.024 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Dual

 9.1. Size:251K  vishay
 sq4949ey.pdf pdf_icon

SQ4940EY

SQ4949EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.035 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.065 100 % Rg and UIS Tested ID (A) per leg - 7.5 AEC-Q101 Qualifiedc Configuration Dual

 9.2. Size:255K  vishay
 sq4946aey.pdf pdf_icon

SQ4940EY

SQ4946AEY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 Material categorization For definitions of compliance please see ID (A) per leg 7 www.vishay.com/d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ4483EY, SQ4532AEY, SQ4840EY, SQ4850EY, SQ4917EY, SQ4920EY, SQ4936EY, SQ4937EY, K3569, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY, SQ4961EY, SQ7002K, SQ7414AEN, SQ7414AENW