SQ7414AEN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ7414AEN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8

Аналог (замена) для SQ7414AEN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ7414AEN даташит

 ..1. Size:614K  vishay
 sq7414aen.pdf pdf_icon

SQ7414AEN

SQ7414AEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 package with 1.07 mm profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimized ID (A) 16 100 % Rg and UIS tested Configuration Single AEC-

 0.1. Size:210K  vishay
 sq7414aenw.pdf pdf_icon

SQ7414AEN

SQ7414AENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.023 package with 1.07 mm profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimized ID (A) 18 100 % Rg and UIS tested Configuration Single AEC

 8.1. Size:229K  vishay
 sq7414cenw.pdf pdf_icon

SQ7414AEN

SQ7414CENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 D D 7 7 D D 6 6 package with 1.07 mm profile 5 5 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified 1 1 2 2 Wettable flank terminals S S 3

 8.2. Size:547K  vishay
 sq7414en.pdf pdf_icon

SQ7414AEN

SQ7414EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.025 Package with 1.07 mm Profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.036 PWM Optimized ID (A) 5.6 AEC-Q101 Qualified Configuration Single 100 % R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ4937EY, SQ4940EY, SQ4942EY, SQ4946AEY, SQ4949EY, SQ4953EY, SQ4961EY, SQ7002K, AON7410, SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, SQ7415AENW, SQ7415EN, SQ9407EY, SQ9945BEY, SQA410EJ