Справочник MOSFET. SQ7415EN

 

SQ7415EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ7415EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
 

 Аналог (замена) для SQ7415EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ7415EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  vishay
 sq7415en.pdf pdf_icon

SQ7415EN

SQ7415ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.110- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 5.7 Fast SwitchingConfiguration Single AEC-Q101 Qualified

 8.1. Size:560K  vishay
 sq7415aen.pdf pdf_icon

SQ7415EN

SQ7415AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 PowerPAK PackageRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.065- Low Thermal Resistance, RthJC RDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.090- Low 1.07 mm ProfileID (A) - 16 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % R

 8.2. Size:180K  vishay
 sq7415aenw.pdf pdf_icon

SQ7415EN

SQ7415AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8WRDS(on) () at VGS = -10 V 0.065package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.090 AEC-Q101 qualifiedID (A) -16 Wettable flank terminalsConfiguration Singl

 9.1. Size:614K  vishay
 sq7414aen.pdf pdf_icon

SQ7415EN

SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ4953EY , SQ4961EY , SQ7002K , SQ7414AEN , SQ7414AENW , SQ7414EN , SQ7415AEN , SQ7415AENW , IRLZ44N , SQ9407EY , SQ9945BEY , SQA410EJ , SQD07N25-350H , SQD100N03-3M2L , SQD100N03-3M4 , SQD100N04-3M6 , SQD100N04-3M6L .

History: 2SK3597-01 | 3N70G-TN3-T

 

 
Back to Top

 


 
.