Справочник MOSFET. SQD50N03-4M0L

 

SQD50N03-4M0L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD50N03-4M0L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 921 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD50N03-4M0L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50N03-4M0L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  vishay
 sqd50n03-4m0l.pdf pdf_icon

SQD50N03-4M0L

SQD50N03-4m0Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0031 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0040 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please seeConfiguration Single

 5.1. Size:171K  vishay
 sqd50n03-06p.pdf pdf_icon

SQD50N03-4M0L

SQD50N03-06Pwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please see Configuration Singl

 5.2. Size:168K  vishay
 sqd50n03-09.pdf pdf_icon

SQD50N03-4M0L

SQD50N03-09www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 100 % Rg and UIS TestedID (A) 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration Single

 6.1. Size:152K  vishay
 sqd50n03.pdf pdf_icon

SQD50N03-4M0L

SQD50N03-09Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.012 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) 50 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Find out more

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQD40N04-10A , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 , SQD40P10-40L , SQD45P03-12 , SQD50N02-04L , SQD50N03-06P , SQD50N03-09 , IRF830 , SQD50N04-09H , SQD50N04-3M5L , SQD50N04-4M1 , SQD50N04-4M5L , SQD50N04-5M0 , SQD50N04-5M6 , SQD50N05-11L , SQD50N06-07L .

 

 
Back to Top

 


 
.