Справочник MOSFET. SQD50N06-07L

 

SQD50N06-07L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD50N06-07L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 407 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50N06-07L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  vishay
sqd50n06-07l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single

 4.1. Size:170K  vishay
sqd50n06-09l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N06-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.013 100 % Rg and UIS TestedID (A) 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration Singl

 4.2. Size:1411K  cn vbsemi
sqd50n06-09l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N06-09Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

 7.1. Size:105K  vishay
sqd50n03-4m0l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N03-4m0Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0031 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0040 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please seeConfiguration Single

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SM4410 | RJK0329DPB-01 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SRC60R022FBS | PK6A6BA | IXTF02N450

 

 
Back to Top

 


 
.