Справочник MOSFET. SQD50N06-07L

 

SQD50N06-07L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD50N06-07L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 407 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD50N06-07L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD50N06-07L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  vishay
sqd50n06-07l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single

 4.1. Size:170K  vishay
sqd50n06-09l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N06-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.013 100 % Rg and UIS TestedID (A) 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration Singl

 4.2. Size:1411K  cn vbsemi
sqd50n06-09l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N06-09Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

 7.1. Size:105K  vishay
sqd50n03-4m0l.pdfpdf_icon

SQD50N06-07L

SQD50N03-4m0Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0031 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0040 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please seeConfiguration Single

Другие MOSFET... SQD50N03-4M0L , SQD50N04-09H , SQD50N04-3M5L , SQD50N04-4M1 , SQD50N04-4M5L , SQD50N04-5M0 , SQD50N04-5M6 , SQD50N05-11L , MMIS60R580P , SQD50N06-09L , SQD50N10-8M9L , SQD50N30-4M0L , SQD50P03-07 , SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L , SQD50P08-25L .

 

 
Back to Top

 


 
.