SQJ402EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQJ402EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 722 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SQJ402EP Datasheet (PDF)
sqj402ep.pdf

SQJ402EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0140For definitions of compliance please seeID (A) 32www.vishay.com/doc?99912
sqj403eep.pdf

SQJ403EEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 30a Material categorization:Configuration SingleFor d
sqj403ep.pdf

SQJ403EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization:ID (A) -30 afor definitions of compliance please see Configuration S
sqj407ep.pdf

SQJ407EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4S1 GTop View Bottom ViewGPRODUCT SUMMARYVDS (V) -30RD
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent