SQJ402EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQJ402EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 722 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
Аналог (замена) для SQJ402EP
SQJ402EP Datasheet (PDF)
sqj402ep.pdf

SQJ402EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0140For definitions of compliance please seeID (A) 32www.vishay.com/doc?99912
sqj403eep.pdf

SQJ403EEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 30a Material categorization:Configuration SingleFor d
sqj403ep.pdf

SQJ403EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization:ID (A) -30 afor definitions of compliance please see Configuration S
sqj407ep.pdf

SQJ407EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4S1 GTop View Bottom ViewGPRODUCT SUMMARYVDS (V) -30RD
Другие MOSFET... SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L , SQD50P08-25L , SQD50P08-28 , SQD90P04-9M4L , SQD97N06-6M3L , SQJ401EP , AO3407 , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP , SQJ422EP , SQJ431EP , SQJ443EP , SQJ456EP .
History: IXTA180N10T7 | 4N60G-TF1-T | SI3460DDV
History: IXTA180N10T7 | 4N60G-TF1-T | SI3460DDV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1566AKQ | JMSH1566AK | JMSH1566AG | JMSH1565AUS | JMSH1565APS | JMSH1565AKSQ | JMSH1565AKS | JMSH1565AGS | JMSH1552PU | JMSH1552PP | JMSH1552PK | JMSH1552PG | JMSH1552AU | JMSH1552AP | JMSH1552AK | JMSH1552AG
Popular searches
2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent