SQJ403EEP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQJ403EEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 712 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
Аналог (замена) для SQJ403EEP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQJ403EEP даташит
sqj403eep.pdf
SQJ403EEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 ESD Protection 3000 V RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 30a Material categorization Configuration Single For d
sqj403ep.pdf
SQJ403EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -30 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization ID (A) -30 a for definitions of compliance please see Configuration S
sqj402ep.pdf
SQJ402EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 100 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0140 For definitions of compliance please see ID (A) 32 www.vishay.com/doc?99912
sqj407ep.pdf
SQJ407EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 S 1 G Top View Bottom View G PRODUCT SUMMARY VDS (V) -30 RD
Другие IGBT... SQD50P04-13L, SQD50P06-15L, SQD50P08-25L, SQD50P08-28, SQD90P04-9M4L, SQD97N06-6M3L, SQJ401EP, SQJ402EP, 60N06, SQJ403EP, SQJ410EP, SQJ412EP, SQJ422EP, SQJ431EP, SQJ443EP, SQJ456EP, SQJ460AEP
History: KIA13N50H-263
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312






