SQJ465EP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQJ465EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
Аналог (замена) для SQJ465EP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQJ465EP даташит
sqj465ep.pdf
SQJ465EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 8 Compliant to RoHS Directive 200
sqj461ep.pdf
SQJ461EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.016 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.021 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 30 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant
sqj463ep.pdf
SQJ463EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 30 Compliant to RoHS Directive 2002
sqj460ep.pdf
SQJ460EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0096 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0120 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 32 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to R
Другие IGBT... SQJ422EP, SQJ431EP, SQJ443EP, SQJ456EP, SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, IRFP460, SQJ469EP, SQJ486EP, SQJ488EP, SQJ500AEP, SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP
History: HSBA060N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934







