Справочник MOSFET. SQJ465EP

 

SQJ465EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ465EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ465EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ465EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  vishay
sqj465ep.pdfpdf_icon

SQJ465EP

SQJ465EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 8 Compliant to RoHS Directive 200

 9.1. Size:149K  vishay
sqj461ep.pdfpdf_icon

SQJ465EP

SQJ461EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.016 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.021 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant

 9.2. Size:149K  vishay
sqj463ep.pdfpdf_icon

SQJ465EP

SQJ463EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.010 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 30 Compliant to RoHS Directive 2002

 9.3. Size:182K  vishay
sqj460ep.pdfpdf_icon

SQJ465EP

SQJ460EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0096 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120 AEC-Q101 QualifieddID (A) 32 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to R

Другие MOSFET... SQJ422EP , SQJ431EP , SQJ443EP , SQJ456EP , SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP , SQJ463EP , IRF640 , SQJ469EP , SQJ486EP , SQJ488EP , SQJ500AEP , SQJ840EP , SQJ844AEP , SQJ844EP , SQJ848AEP .

History: BTS247Z

 

 
Back to Top

 


 
.