SQJ912AEP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQJ912AEP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SQJ912AEP Datasheet (PDF)
sqj912aep.pdf

SQJ912AEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0093 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0111 Material categorization: ID (A) per leg 30For definitions of compliance please see Configu
sqj912bep.pdf

SQJ912BEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization:D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
sqj912ep.pdf

SQJ912EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfigurati
sqj914ep.pdf

SQJ914EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D21 G21Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IXFT74N20 | JCS5N50CT | 3415A | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005
History: IXFT74N20 | JCS5N50CT | 3415A | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet