Справочник MOSFET. SQJ942EP

 

SQJ942EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ942EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ942EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  vishay
sqj942ep.pdfpdf_icon

SQJ942EP

SQJ942EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 0.013For definitions of compliance pleas

 9.1. Size:260K  vishay
sqj940ep.pdfpdf_icon

SQJ942EP

SQJ940EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076For definitions of compliance p

 9.2. Size:213K  vishay
sqj946ep.pdfpdf_icon

SQJ942EP

SQJ946EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg 15for definitions of compliance please see Configuratio

 9.3. Size:155K  vishay
sqj941ep.pdfpdf_icon

SQJ942EP

SQJ941EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg - 8For definitions of compliance please see Conf

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCEP078N10G | AOSS32128 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | MS65R360F | RJK0206DPA | RF4E070BN

 

 
Back to Top

 


 
.