Справочник MOSFET. SQS462EN

 

SQS462EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS462EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS462EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  vishay
sqs462en.pdfpdf_icon

SQS462EN

SQS462ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singlewww.

 9.1. Size:558K  vishay
sqs466een.pdfpdf_icon

SQS462EN

SQS466EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VgRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.074 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg a

 9.2. Size:558K  vishay
sqs464een.pdfpdf_icon

SQS462EN

SQS464EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 Typical ESD Protection 800 VRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

 9.3. Size:561K  vishay
sqs460en.pdfpdf_icon

SQS462EN

SQS460ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vish

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CJ3134KDW | SLP12N60C | IRLML5103PBF-1 | IRF634PBF | CS8205 | SM4500NHKP | SIR844DP

 

 
Back to Top

 


 
.