SQS462EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQS462EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8

Аналог (замена) для SQS462EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS462EN даташит

 ..1. Size:560K  vishay
 sqs462en.pdf pdf_icon

SQS462EN

SQS462EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.063 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

 9.1. Size:558K  vishay
 sqs466een.pdf pdf_icon

SQS462EN

SQS466EEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.048 Typical ESD Protection 800 Vg RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.074 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 8 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg a

 9.2. Size:558K  vishay
 sqs464een.pdf pdf_icon

SQS462EN

SQS464EEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.032 Typical ESD Protection 800 V RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.046 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 8 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg an

 9.3. Size:561K  vishay
 sqs460en.pdf pdf_icon

SQS462EN

SQS460EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.048 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vish

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQS400EN, SQS401EN, SQS404EN, SQS405EN, SQS405ENW, SQS420EN, SQS423EN, SQS460EN, AON6380, SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, SQS484EN, SQS840EN, SQS850EN, SQV120N10-3M8, SQV90N06-05