SRC4N65D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRC4N65D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.935 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SRC4N65D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC4N65D1 даташит

 7.1. Size:511K  sanrise-tech
 src4n65.pdf pdf_icon

SRC4N65D1

Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65 General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding effic

Другие IGBT... SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005, SRADM1006, SRADM1007, SRADM1008, SRC11N65TC, SRC11N65TF, AO3407, SRC4N65DTR, SRC4N65TC, SRC4N65TF, SRC7N65D1, SRC7N65DTR, SRC7N65TC, SRC7N65TF, SRK7002LT1G