SRC4N65D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRC4N65D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.49 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.2 nC
Время нарастания (tr): 11.8 ns
Выходная емкость (Cd): 298 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.935 Ohm
Тип корпуса: TO-251
SRC4N65D1 Datasheet (PDF)
7.1. Size:511K sanrise-tech
src4n65.pdf
src4n65.pdf
Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding effic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: APQ04SN60CA | PSU04N65B
