Справочник MOSFET. SRM10N65TF

 

SRM10N65TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRM10N65TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.81 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SRM10N65TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM10N65TF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm10n65.pdf pdf_icon

SRM10N65TF

Datasheet 10A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM10N65General Description Symbol The Sanrise SRM10N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM10N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

 7.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm10n60.pdf pdf_icon

SRM10N65TF

Datasheet 10A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM10N60General Description Symbol The Sanrise SRM10N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM10N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

Другие MOSFET... SRC4N65TF , SRC7N65D1 , SRC7N65DTR , SRC7N65TC , SRC7N65TF , SRK7002LT1G , SRM10N60TF , SRM10N60TC , RU6888R , SRM10N65TC , SRM12N65TF , SRM12N65TC , SRM20N65TF , SRM20N65TC , SRM2N60 , SRM4N60D1 , SRM4N60DTR .

History: IRF6894MPBF | IRF6898MPBF

 

 
Back to Top

 


 
.