Справочник MOSFET. IXTH15N40MA

 

IXTH15N40MA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH15N40MA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N40MA Datasheet (PDF)

 7.1. Size:148K  ixys
ixth15n70.pdfpdf_icon

IXTH15N40MA

IXTH15N70 PCB24IXTH 15N70 VDSS = 700 VMegaMOSTMFET ID (cont) = 15 ARDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 700 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 700 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 T

 7.2. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTH15N40MA

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

Другие MOSFET... IXTH12N50MB , IXTH12N90 , IXTH13N110 , IXTH13N80 , IXTH14N100 , IXTH14N80 , IXTH15N35MA , IXTH15N35MB , 5N50 , IXTH15N40MB , IXTH15N60 , IXTH20M60MB , IXTH20N55MA , IXTH20N55MB , IXTH20N60 , IXTH20N60MA , IXTH21N50 .

History: NTJD5121N | HYG400P10LR1D | UF8010 | KMC7D0CN20CA | IRF3707SPBF | IRLML5203PBF | SI7252DP

 

 
Back to Top

 


 
.