Справочник MOSFET. SUD50N02-06

 

SUD50N02-06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD50N02-06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUD50N02-06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD50N02-06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  vishay
sud50n02-06.pdfpdf_icon

SUD50N02-06

SUD50N02-06Vishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a, bD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested0.006 @ VGS = 4.5 V 3020200.009 @ VGS = 2.5 V 25DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrder Number: SSUD50N02-06N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

 0.1. Size:158K  vishay
sud50n02-06p.pdfpdf_icon

SUD50N02-06

SUD50N02-06PVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction Temperature0.0060 at VGS = 10 V PWM Optimized for High Efficiency26200.0095 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested21 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Buck DC/DC C

 4.1. Size:143K  vishay
sud50n02-04p.pdfpdf_icon

SUD50N02-06

SUD50N02-04PVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction Temperature0.0043 at VGS = 10 V 34 PWM Optimized for High Efficiency200.006 at VGS = 4.5 V 28 Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912TO-25

 4.2. Size:58K  vishay
sud50n02-09p.pdfpdf_icon

SUD50N02-06

SUD50N02-09PVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Junction TemperatureVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD PWM Optimized for High EfficiencyD 100% Rg Tested0.0095 @ VGS = 10 V 2020200.017 @ VGS = 4.5 V 15 APPLICATIONSD High-Side Synchronous Buck DC/DCConversion- DesktopDTO-252- ServerGDrain Conn

Другие MOSFET... SUD40N08-16 , SUD40N10-25 , SUD42N03-3M9P , SUD45P03-09 , SUD45P03-10 , SUD45P03-15 , SUD45P04-16P , SUD50N02-04P , RU6888R , SUD50N02-06P , SUD50N02-09P , SUD50N024-09P , SUD50N025-06P , SUD50N03-06AP , SUD50N03-06P , SUD50N03-09P , SUD50N03-11 .

History: 10N65AF | SWB076R68E7T | TSF7N65M | FQP10N20CTSTU | AOTF286L | BL8N60-A | HFP6N90

 

 
Back to Top

 


 
.