Справочник MOSFET. IXTH20M60MB

 

IXTH20M60MB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH20M60MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH20M60MB Datasheet (PDF)

 8.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20M60MB

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 8.2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20M60MB

IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p

 8.3. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf pdf_icon

IXTH20M60MB

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG

 8.4. Size:205K  ixys
 ixth200n085t ixtq200n085t.pdf pdf_icon

IXTH20M60MB

Preliminary Technical InformationIXTH200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH13N80 , IXTH14N100 , IXTH14N80 , IXTH15N35MA , IXTH15N35MB , IXTH15N40MA , IXTH15N40MB , IXTH15N60 , 60N06 , IXTH20N55MA , IXTH20N55MB , IXTH20N60 , IXTH20N60MA , IXTH21N50 , IXTH23N25MA , IXTH23N25MB , IXTH24N45MA .

History: BLP12N10G-Q | 2N6760JANTXV | RU7550S | STP20NM60FP | ZXMP4A16GTA | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.