Справочник MOSFET. SUD50N03-06AP

 

SUD50N03-06AP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD50N03-06AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SUD50N03-06AP

 

 

SUD50N03-06AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  vishay
 sud50n03-06ap.pdf

SUD50N03-06AP SUD50N03-06AP

SUD50N03-06APNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a, e Qg (Typ)D Optimized for LowSide SynchronousRectifier Operation0.0057 @ VGS = 10 V 90 RoHS30 3030 30COMPLIANTD 100% Rg Tested0.0078 @ VGS = 4.5 V 77APPLICATIONSD DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersTO-252D

 3.1. Size:63K  vishay
 sud50n03-06p.pdf

SUD50N03-06AP SUD50N03-06AP

SUD50N03-06PVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD 175 _C Junction TemperatureVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)bD Optimized for Low-Side Synchronous Rectifier *Operation0.0065 at VGS = 10 V 84b3030 D 100 % Rg Tested0.0095 at VGS = 4.5 V 59bAPPLICATIONSD DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersTO-252DDr

 4.1. Size:95K  vishay
 sud50n03-07.pdf

SUD50N03-06AP SUD50N03-06AP

SUD50N03-07Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested0.007 @ VGS = 10 V 2030300.010 @ VGS = 4.5 V 16DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrdering Information: SSUD50N03-07SUD50N03-07E3 ( Lead Free) N-Channel MOS

 4.2. Size:149K  vishay
 sud50n03-09p.pdf

SUD50N03-06AP SUD50N03-06AP

SUD50N03-09PVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)bAvailable Optimized for High- or Low-Side0.0095 at VGS = 10 V 63bRoHS* 100 % Rg Tested30COMPLIANT0.014 at VGS = 4.5 V 52bAPPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous RectifiersTO-252DDrain Connected to T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top