Справочник MOSFET. SUD50P04-09L

 

SUD50P04-09L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD50P04-09L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 102 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 700 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SUD50P04-09L

 

 

SUD50P04-09L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  vishay
sud50p04-09l.pdf

SUD50P04-09L SUD50P04-09L

SUD50P04-09LVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d 175 C Junction Temperature0.0094 at VGS = - 10 V - 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC- 400.0145 at VGS = - 4.5 V - 50STO-252GDrain Connected to TabG D STop View DOrdering Information: SUD50P04

 0.1. Size:889K  cn vbsemi
sud50p04-09l-e3.pdf

SUD50P04-09L SUD50P04-09L

SUD50P04-09L-E3www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25

 4.1. Size:165K  vishay
sud50p04-08.pdf

SUD50P04-09L SUD50P04-09L

SUD50P04-08www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0081 at VGS = -10 V -50 d-40 60 Material categorization:0.0117 at VGS = -4.5 V -48 dfor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252TOAPPLICATIONS

 4.2. Size:1492K  cn vbsemi
sud50p04-08.pdf

SUD50P04-09L SUD50P04-09L

SUD50P04-08www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C,

 4.3. Size:206K  inchange semiconductor
sud50p04-08.pdf

SUD50P04-09L SUD50P04-09L

INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD50P04-08FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor contorlDC-DC conventersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top