Справочник MOSFET. SUM110N04-03

 

SUM110N04-03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUM110N04-03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 437.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для SUM110N04-03

 

 

SUM110N04-03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  vishay
 sum110n04-03.pdf

SUM110N04-03 SUM110N04-03

SUM110N04-03Vishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available Package with Low Thermal Resistance0.0028 at VGS = 10 V40110aRoHS*COMPLIANTDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM110N04-03SUM110N04-03-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channel MOSFETABSOLUTE MA

 0.1. Size:99K  vishay
 sum110n04-03p.pdf

SUM110N04-03 SUM110N04-03

SUM110N04-03PVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.0031 at VGS = 10 V 40110aRoHS* Package with Low Thermal ResistanceCOMPLIANT Extremely Low Qgd WFETTM Technology for Low Switching Losses 100 % Rg TestedDTO

 3.1. Size:90K  vishay
 sum110n04-05h.pdf

SUM110N04-03 SUM110N04-03

SUM110N04-05HVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS0.0053 at VGS = 10 V 40 95110COMPLIANT High Threshold Voltage at High TemperatureDTO-263GG D STop View SN-Channel MOSFETOrdering Information: SUM110N04-05H-E

 3.2. Size:101K  vishay
 sum110n04-04.pdf

SUM110N04-03 SUM110N04-03

SUM110N04-04Vishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature40 0.0035 at VGS = 10 V 110aRoHS*COMPLIANTTO-263DGG D STop ViewSOrdering Information: SUM110N04-04SUM110N04-04-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

 3.3. Size:100K  vishay
 sum110n04-02l.pdf

SUM110N04-03 SUM110N04-03

SUM110N04-02LVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available New Package with Low Thermal Resistance 0.0023 at VGS = 10 V RoHS*40110a0.0038 at VGS = 4.5 V COMPLIANTDTO-263 GG D S Top View SOrdering Information: SUM110N04-02LSUM110N04-02L-E3 (Lead (Pb)-fr

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top