Справочник MOSFET. IXTH21N50

 

IXTH21N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH21N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH21N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH21N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  ixys
ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdfpdf_icon

IXTH21N50

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 21N50 21 A

 9.1. Size:202K  ixys
ixth2n300p3hv ixtt2n300p3hv.pdfpdf_icon

IXTH21N50

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT2N300P3HVPower MOSFETID25 = 2AIXTH2N300P3HV RDS(on) 21 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VV

 9.2. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTH21N50

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 9.3. Size:105K  ixys
ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTH21N50

IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p

Другие MOSFET... IXTH15N40MA , IXTH15N40MB , IXTH15N60 , IXTH20M60MB , IXTH20N55MA , IXTH20N55MB , IXTH20N60 , IXTH20N60MA , IRF840 , IXTH23N25MA , IXTH23N25MB , IXTH24N45MA , IXTH24N45MB , IXTH24N50 , IXTH24N50MA , IXTH24N50MB , IXTH27N35MA .

History: FMD21-05QC

 

 
Back to Top

 


 
.