SUM40N15-38 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUM40N15-38
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUM40N15-38
SUM40N15-38 Datasheet (PDF)
sum40n15-38.pdf
SUM40N15-38Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.038 at VGS = 10 V40150 New Low Thermal Resistance Package0.042 at VGS = 6 V38 PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO
sum40n10-30.pdf
SUM40N10-30Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.034 at VGS = 6 V37.5COMPLIANTDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM40N10-30SUM40N10-
sum40n02-12p.pdf
SUM40N02-12PVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)a Qg (Typ)D Optimized for High-Side Synchronous Rectifier0.012 @ VGS = 10 V 40aD 100% Rg Tested20 7520 7.50.026 @ VGS = 4.5 V 40aAPPLICATIONSD Desktop or Server CPU CoreD Game StationDTO-263D
sum40n05-19l.pdf
SUM40N05-19LVishay SiliconixN-Channel 55-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.019 at VGS = 10 V 40RoHS*550.025 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANTDTO-263 GDRAIN connected to TAB G D S Top View SOrdering Information: SUM40N05-19L-E3 (Lead
sum40n03.pdf
SUM40N03-30LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)D 175_C Junction Temperature0.030 @ VGS = 10 V 40D 100% Rg Tested30 1830 180.045 @ VGS = 4.5 V 33DTO-263DRAIN connected to TABGG D STop ViewSOrdering Information: SUM40N03-30LE3N-Channel MOS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
