IXTH24N45MA
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH24N45MA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 24
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23
Ohm
Тип корпуса:
TO247
Аналог (замена) для IXTH24N45MA
IXTH24N45MA
Datasheet (PDF)
7.1. Size:108K ixys
ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdf VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 21N50 21 A
8.1. Size:204K ixys
ixth240n055t ixtq240n055t.pdf Preliminary Technical InformationIXTH240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ240N055T ID25 = 240 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 240
8.2. Size:337K ixys
ixtt240n15x4hv ixth240n15x4.pdf Advance Technical InformationX4-Class VDSS = 150VIXTT240N15X4HVPower MOSFETTM ID25 = 240AIXTH240N15X4 RDS(on) 4.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXTT..HV)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 175C 150 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 150 VTO-247 (IXTH)VGSS Cont
Другие MOSFET... IXTH20M60MB
, IXTH20N55MA
, IXTH20N55MB
, IXTH20N60
, IXTH20N60MA
, IXTH21N50
, IXTH23N25MA
, IXTH23N25MB
, IRF540N
, IXTH24N45MB
, IXTH24N50
, IXTH24N50MA
, IXTH24N50MB
, IXTH27N35MA
, IXTH27N35MB
, IXTH27N40MA
, IXTH27N40MB
.