SUP90N06-5M0P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUP90N06-5M0P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 990 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP90N06-5M0P
SUP90N06-5M0P Datasheet (PDF)
sum90n06-5m0p sup90n06-5m0p.pdf
SUP90N06-5m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature60 0.005 at VGS = 10 V RoHS90d 105 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANTAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Rectification IndustrialTO-220AB OR-ingDGG
sup90n06-05l.pdf
SUP90N06-05LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) D TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Maximum Junction Temperature0.0049 @ VGS = 10 Va60 90 a60 900.0055 @ VGS = 4.5 VAPPLICATIONSD Automotive Such As- High-Side Switch- Motor Drives- 12-V BatteryD Synchronous RectificationTO-220ABDG
sup90n06-6m0p.pdf
SUP90N06-6m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature60 0.006 at VGS = 10 V RoHS90d 78.5 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-22
sup90n06.pdf
SUP90N06-6m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature60 0.006 at VGS = 10 V RoHS90d 78.5 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-22
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
