Справочник MOSFET. SUP90N06-6M0P

 

SUP90N06-6M0P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP90N06-6M0P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SUP90N06-6M0P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP90N06-6M0P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  vishay
 sup90n06-6m0p.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-6m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature60 0.006 at VGS = 10 V RoHS90d 78.5 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-22

 5.1. Size:76K  vishay
 sum90n06-5m0p sup90n06-5m0p.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-5m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature60 0.005 at VGS = 10 V RoHS90d 105 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANTAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Rectification IndustrialTO-220AB OR-ingDGG

 5.2. Size:62K  vishay
 sup90n06-05l.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-05LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) D TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Maximum Junction Temperature0.0049 @ VGS = 10 Va60 90 a60 900.0055 @ VGS = 4.5 VAPPLICATIONSD Automotive Such As- High-Side Switch- Motor Drives- 12-V BatteryD Synchronous RectificationTO-220ABDG

 6.1. Size:150K  vishay
 sup90n06.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-6m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature60 0.006 at VGS = 10 V RoHS90d 78.5 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-22

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUP85N03-3M6P , SUP85N04-03 , SUP85N10-10 , SUP85N10-10P , SUP85N15-21 , SUP90N03-03 , SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , IRFP260N , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P .

History: DH4N150F | MTP2N90 | SQ2337ES | 2SK346 | AP6901GSM-HF | HGI090NE6A | AON7518

 

 
Back to Top

 


 
.