Справочник MOSFET. SUP90N06-6M0P

 

SUP90N06-6M0P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP90N06-6M0P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP90N06-6M0P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  vishay
 sup90n06-6m0p.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-6m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature60 0.006 at VGS = 10 V RoHS90d 78.5 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-22

 5.1. Size:76K  vishay
 sum90n06-5m0p sup90n06-5m0p.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-5m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature60 0.005 at VGS = 10 V RoHS90d 105 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANTAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Rectification IndustrialTO-220AB OR-ingDGG

 5.2. Size:62K  vishay
 sup90n06-05l.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-05LNew ProductVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) D TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Maximum Junction Temperature0.0049 @ VGS = 10 Va60 90 a60 900.0055 @ VGS = 4.5 VAPPLICATIONSD Automotive Such As- High-Side Switch- Motor Drives- 12-V BatteryD Synchronous RectificationTO-220ABDG

 6.1. Size:150K  vishay
 sup90n06.pdf pdf_icon

SUP90N06-6M0P

SUP90N06-6m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature60 0.006 at VGS = 10 V RoHS90d 78.5 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous RectificationTO-22

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK2836 | FDU6512A | R6524KNX | IRC330 | IXTH3N200P3HV | BUZ84A | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.