SUP90N15-18P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUP90N15-18P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUP90N15-18P Datasheet (PDF)
sup90n15-18p.pdf

SUP90N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.018 at VGS = 10 V RoHS15090d 64COMPLIANT 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch IndustrialTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Informatio
sup90n15.pdf

SUP90N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.018 at VGS = 10 V RoHS15090d 64COMPLIANT 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch IndustrialTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Informatio
sup90n10-8m8p.pdf

SUP90N10-8m8PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS0.0088 at VGS = 10 V100 COMPLIANT 90d 97 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB APPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Recti
sup90n10-8m8p.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SUP90N10-8M8PFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationIndustrialPrimary SwitchABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SSM6N16FE | SIA426DJ | IXFT26N60P | SM9989DSO | AFN12N65T220FT | IRC7405 | 2SK2882
History: SSM6N16FE | SIA426DJ | IXFT26N60P | SM9989DSO | AFN12N65T220FT | IRC7405 | 2SK2882



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640