Справочник MOSFET. SUP90N15-18P

 

SUP90N15-18P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP90N15-18P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP90N15-18P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
sup90n15-18p.pdfpdf_icon

SUP90N15-18P

SUP90N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.018 at VGS = 10 V RoHS15090d 64COMPLIANT 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch IndustrialTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Informatio

 6.1. Size:172K  vishay
sup90n15.pdfpdf_icon

SUP90N15-18P

SUP90N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.018 at VGS = 10 V RoHS15090d 64COMPLIANT 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch IndustrialTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Informatio

 7.1. Size:166K  vishay
sup90n10-8m8p.pdfpdf_icon

SUP90N15-18P

SUP90N10-8m8PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS0.0088 at VGS = 10 V100 COMPLIANT 90d 97 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB APPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Recti

 7.2. Size:211K  inchange semiconductor
sup90n10-8m8p.pdfpdf_icon

SUP90N15-18P

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SUP90N10-8M8PFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationIndustrialPrimary SwitchABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSM6N16FE | SIA426DJ | IXFT26N60P | SM9989DSO | AFN12N65T220FT | IRC7405 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.