SUP90N15-18P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUP90N15-18P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP90N15-18P
SUP90N15-18P Datasheet (PDF)
sup90n15-18p.pdf

SUP90N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.018 at VGS = 10 V RoHS15090d 64COMPLIANT 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch IndustrialTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Informatio
sup90n15.pdf

SUP90N15-18PVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.018 at VGS = 10 V RoHS15090d 64COMPLIANT 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch IndustrialTO-220AB D G G D S S Top View Ordering Informatio
sup90n10-8m8p.pdf

SUP90N10-8m8PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS0.0088 at VGS = 10 V100 COMPLIANT 90d 97 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220AB APPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Recti
sup90n10-8m8p.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SUP90N10-8M8PFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationIndustrialPrimary SwitchABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие MOSFET... SUP90N04-3M3P , SUP90N06-5M0P , SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , P55NF06 , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA .
History: MDU5593SVRH | PF608BA | IRFS832 | RJK1560DPP-M0 | JCS4N65B
History: MDU5593SVRH | PF608BA | IRFS832 | RJK1560DPP-M0 | JCS4N65B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640