SM2328NSAN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM2328NSAN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для SM2328NSAN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2328NSAN даташит

 ..1. Size:254K  sino
sm2328nsan.pdfpdf_icon

SM2328NSAN

SM2328NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/4A, D RDS(ON)= 40m (max.) @ VGS= 4.5V S RDS(ON)= 55m (max.) @ VGS= 2.5V G RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS= 1.8V Top View of Narrow SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) G Applications Power Management in DC/AC Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering

 8.1. Size:60K  taiwansemi
tsm2328cx.pdfpdf_icon

SM2328NSAN

TSM2328 100V N-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Drain 250 @ VGS =10V 1.5 100 General Description The TSM2328 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible On-Resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The TSM2328 is universally used for all commercial-in

 9.1. Size:366K  taiwansemi
tsm2323 a07.pdfpdf_icon

SM2328NSAN

TSM2323 20V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Gate 39 @ VGS = -4.5V -4.7 2. Source 3. Drain -20 52 @ VGS = -2.5V -4.1 68 @ VGS = -1.8V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Chann

 9.2. Size:253K  taiwansemi
tsm2323cx.pdfpdf_icon

SM2328NSAN

TSM2323 20V P-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Gate 2. Source 39 @ VGS = -4.5V -4.7 3. Drain -20 52 @ VGS = -2.5V -4.1 68 @ VGS = -1.8V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-C

Другие IGBT... SM1A15PSF, SM1C01NSFH, SM1F01NF, SM1F02NSU, SM1F03NSFP, SM1F03NSK, SM1F03NSU, SM2327PSA, 5N65, SM2558NSUC, SM2602NSC, SM2603PSC, SM2A01NSFP, SM2A02NSU, SM2A06NSFP, MM15N050P, MM20N050P