Справочник MOSFET. MM68N06K

 

MM68N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MM68N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MM68N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MM68N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  macmic
 mm68n06k.pdf pdf_icon

MM68N06K

MM68N06K DatasheetN-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDSS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 18m 68AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized BVDSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMM68N06K TO-220 MacMicTC=25 unless otherwise specified

Другие MOSFET... SM2558NSUC , SM2602NSC , SM2603PSC , SM2A01NSFP , SM2A02NSU , SM2A06NSFP , MM15N050P , MM20N050P , IRF1407 , MM9N090P , MMBF0202PLT1 , MMBF2202PT1 , MMBFJ108 , MMBFJ110 , MMBFJ111 , MMBFJ112 , MMBFJ113 .

History: BRD7N65S

 

 
Back to Top

 


 
.