MME70R380PRH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MME70R380PRH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 823 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для MME70R380PRH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MME70R380PRH даташит

 ..1. Size:1314K  magnachip
 mme70r380prh.pdf pdf_icon

MME70R380PRH

MME70R380P Datasheet MME70R380P 700V 0.38 N-channel MOSFET Description MME70R380P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:203K  inchange semiconductor
 mme70r380prh.pdf pdf_icon

MME70R380PRH

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MME70R380PRH FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

Другие IGBT... MMD70R600PRH, MMD70R750PRH, MMD70R900PRH, MMD80R900PRH, MMDF1N05ER2G, MMDF3N02HDR2, MMDF3N02HDR2G, MME60R290PRH, IRFB31N20D, MMF50R280PTH, MMF60R115PTH, MMF60R190PTH, MMF60R290PTH, MMF60R360PTH, MMF60R580PTH, MMF60R750PTH, MMF65R190PTH