2SJ542 - описание и поиск аналогов

 

2SJ542. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ542

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SJ542

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ542 даташит

 ..1. Size:87K  renesas
2sj542.pdfpdf_icon

2SJ542

2SJ542 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0889-0400 (Previous ADE-208-591B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.050 typ. Low drive current. 4 V gate drive devices. High speed switching. Outline RENESAS Package code PRSS0004AC-A (Package name TO-220AB) D 1. Gate G 2. Drain (Fla

 0.1. Size:101K  renesas
rej03g0889 2sj542ds.pdfpdf_icon

2SJ542

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:90K  renesas
2sj545.pdfpdf_icon

2SJ542

2SJ545 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0892-0400 Rev.4.00 Jun 05, 2006 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.11 typ. Low drive current 4 V gate drive devices High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AE-A (Package name TO-220C FM) D 1. Gate G 2. Drain 3. Source 1 2 3 S Rev.4.0

 9.2. Size:97K  renesas
2sj549.pdfpdf_icon

2SJ542

2SJ549(L), 2SJ549(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0896-0400 Rev.4.00 Jun 05, 2006 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.11 typ. Low drive current 4 V gate drive devices High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004AE-A RENESAS Package code PRSS0004AE-B (Package name LDPAK (L) ) (Package

Другие MOSFET... 2SJ531 , 2SJ532 , 2SJ533 , 2SJ534 , 2SJ535 , 2SJ539 , 2SJ540 , 2SJ541 , RU7088R , 2SJ543 , 2SJ544 , 2SJ545 , 2SJ546 , 2SJ547 , 2SJ548 , 2SJ549 , 2SJ550 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.