MMN4430 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMN4430
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14.12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для MMN4430
MMN4430 Datasheet (PDF)
mmn4430.pdf

MMN4430Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@18A = 6mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@15A = 10mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSO-8 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View
mmn4422.pdf

MMN4422Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@11A = 15mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@9A = 24mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMa
mmn4446.pdf

MMN4446Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@15A = 9mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@11A = 15mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentSO-8 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View
mmn4414.pdf

MMN4414Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 26mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5A = 40mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal C
Другие MOSFET... MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , IRF9540N , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 .
History: HM3416B | AG4N60S | AFN3406AS
History: HM3416B | AG4N60S | AFN3406AS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet