MMP4353 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMP4353
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SO-8
MMP4353 Datasheet (PDF)
mmp4353.pdf
MMP4353Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0 = 75mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 119mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceS0-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characterist
mmp4357.pdf
MMP4357Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A =75mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A =105mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteris
mmp4383.pdf
MMP4383Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 85mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characte
mmp4399.pdf
MMP4399Preliminary Package Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-3.9A = 150mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 200mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F