Справочник MOSFET. MMP4411DY

 

MMP4411DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMP4411DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 577.33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MMP4411DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMP4411DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  m-mos
 mmp4411dy.pdf pdf_icon

MMP4411DY

MMP4411DYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-13.0A = 10mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-10.0A = 15.5mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSO-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristic

 7.1. Size:154K  m-mos
 mmp4411.pdf pdf_icon

MMP4411DY

MMP4411Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-8A = 32mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5A = 55mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSO-8 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25

 8.1. Size:205K  m-mos
 mmp4415a.pdf pdf_icon

MMP4411DY

MMP4415AData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-8A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unl

 9.1. Size:164K  m-mos
 mmp4407.pdf pdf_icon

MMP4411DY

MMP4407Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V P- Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10A = 20mRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-7A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETMaximum Ratings and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMP3415E , MMP3443 , MMP4353 , MMP4357 , MMP4383 , MMP4399 , MMP4407 , MMP4411 , RU6888R , MMP4415A , MMP4425 , MMP4425DY , MMP4435BDY , MMP60R190PTH , MMP60R195PCTH , MMP60R290PCTH , MMP60R290PTH .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.