SM3114NAU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM3114NAU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SM3114NAU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3114NAU даташит

 ..1. Size:261K  sino
sm3114nau.pdfpdf_icon

SM3114NAU

SM3114NAU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/75A, Drain 4 RDS(ON)= 3.6m (Max.) @ VGS=10V 3 Source 2 RDS(ON)= 5.2m (Max.) @ VGS=4.5V 1 Gate Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-252-3 (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Channel MOSFET Order

 7.1. Size:265K  sino
sm3114nsu.pdfpdf_icon

SM3114NAU

SM3114NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/75A, D RDS(ON)=4.2m (Max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=6m (Max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-252-3 (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

 9.1. Size:173K  sino
sm3117nsu.pdfpdf_icon

SM3114NAU

SM3117NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/50A, D RDS(ON)=7.2m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=9.8m (max.) @ VGS=4.5V G Provide Excellent Qgd x Rds-on 100% UIS + Rg Tested Top View of TO-252-2 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G Applications Power Management in Desktop Computer or S

 9.2. Size:551K  sino
sm3119nau.pdfpdf_icon

SM3114NAU

SM3119NAU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Drain 4 30V/50A, RDS(ON)=10.5m (max.) @ VGS=10V 3 Source 2 RDS(ON)=14.5m (max.) @ VGS=4.5V 1 Gate Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC

Другие IGBT... MMQ60R070PTH, MMQ60R115PCTH, MMQ60R115PTH, MMQ60R190PTH, MMSF3P02HDR2, MMSF7P03HDR2, SM2A06NSU, SM3005NSF, IRF640, SM3115NSU, SM3116NBU, SM3116NSU, SM3305PSQG, SM3307PSQG, SM3318NSQG, SM4021NSKP, SM4025PSUC