Справочник MOSFET. SM6A07NSF

 

SM6A07NSF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6A07NSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6A07NSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  sino
 sm6a07nsf sm6a07nsfp.pdf pdf_icon

SM6A07NSF

SM6A07NSF/SM6A07NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 600V/20A, RDS(ON)= 0.19 (max.) @ VGS= 10V Reliable and RuggedS SD DG G Avalanche RatedTop View of TO-220 Top View of TO-220-FP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power

 6.1. Size:275K  sino
 sm6a07nsw.pdf pdf_icon

SM6A07NSF

SM6A07NSW N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 600V/20A, RDS(ON)= 0.19 (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged SDG Avalanche RatedTop View of TO-247 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power Supply (UPS),S Adapter.N-Channel M

 9.1. Size:276K  sino
 sm6a09nsf sm6a09nsfp.pdf pdf_icon

SM6A07NSF

SM6A09NSF/SM6A09NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 600V/25A, RDS(ON)= 0.16 (max.) @ VGS= 10V V @Tj, max=700V (typ.)S SDSD DG G Reliable and RuggedTop View of TO-220 Top View of TO-220-FP Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SM

 9.2. Size:271K  sino
 sm6a08nsw.pdf pdf_icon

SM6A07NSF

SM6A08NSW N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 600V/11A, RDS(ON)= 0.38 (max.) @ VGS= 10V V @Tj, max=700V (typ.)SDSD Reliable and Rugged G Avalanche RatedTop View of TO-247 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG AC/DC Power Conversion in Switched Mode Power Supplies (SMPS). Uninterruptible Power Supply (UPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3800 | BUK455-100B | SSF65R420S2 | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.