Справочник MOSFET. IXTH5N100

 

IXTH5N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH5N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH5N100 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:104K  ixys
ixth5n100-a ixtm5n100-a.pdfpdf_icon

IXTH5N100

VDSS ID25 RDS(on)Standard IXTH / IXTM 5N100 1000 V 5 A 2.4 Power MOSFETIXTH / IXTM 5N100A 1000 V 5 A 2.0 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25

 9.1. Size:187K  ixys
ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdfpdf_icon

IXTH5N100

Advance Technical InformationTrenchT2TM VDSS = 40VIXTH500N04T2ID25 = 500APower MOSFETIXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Fast Intrinsic DiodeGDD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C40 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 VTO-268 (IXTT)VGSM T

 9.2. Size:186K  ixys
ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdfpdf_icon

IXTH5N100

PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2

 9.3. Size:230K  ixys
ixta50n25t ixtq50n25t ixtp50n25t ixth50n25t.pdfpdf_icon

IXTH5N100

IXTA50N25T IXTQ50N25TTrench Gate VDSS = 250VIXTP50N25T IXTH50N25TID25 = 50APower MOSFET RDS(on) 60m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) TO-3P (IXTQ)G GDSSGD (Tab)DD (Tab) D (Tab)STO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Другие MOSFET... IXTH39N10MB , IXTH40N30 , IXTH42N15MA , IXTH42N15MB , IXTH42N20 , IXTH42N20MA , IXTH42N20MB , IXTH50N20 , TK10A60D , IXTH5N100A , IXTH67N08MA , IXTH67N08MB , IXTH67N10 , IXTH67N10MA , IXTH67N10MB , IXTH68N20 , IXTH6N80 .

History: AM10P20-690D | DG840 | KNB1906A | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | IRLU3715 | SE1216

 

 
Back to Top

 


 
.