SM7002NSF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM7002NSF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для SM7002NSF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM7002NSF даташит
sm7002nsf.pdf
SM7002NSF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 68V/80A, RDS(ON)=10.8m (max.) @ VGS=10V Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) Top View of TO-220 D Applications Synchronous Rectification. G Power Management in Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM7002NS
sm7002nsan.pdf
SM7002NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/0.45A , RDS(ON)=2.2 (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=2.6 (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-23N (RoHS Compliant) D ESD Protection HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V G Applications High Speed Switching. S Analog Switching Application. N-Chann
gsm7002w.pdf
GSM7002W 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM7002W is the N-Channel enhancement 60V/0.50A , RDS(ON)= 7.5 @VGS=10V mode field effect transistors are produced using 60V/0.05A , RDS(ON)= 7.5 @VGS=5V high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These products have been designed to minimize
gsm7002t.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features The GSM7002T is the Dual N-Channel 60V/0.50A , RDS(ON)= 2.0 @VGS=10V enhancement mode field effect transistors are 60V/0.20A , RDS(ON)= 4.0 @VGS=4.5V produced using high cell density DMOS Super high density cell design for extremely technology. low RDS (ON) Exceptional on-resistance and maximum
Другие IGBT... SM6F02NSFP, SM6F02NSW, SM6F03NSF, SM6F03NSFP, SM6F03NSI, SM6F03NSU, SM6F26NSF, SM6F26NSFP, IRFB31N20D, SM7003NSFH, SM7301DSK, SM7305ESKP, SM7306ESKP, SM7501NSFH, SM7506NF, SM7506NFP, SM7575NSFH
History: SM7003NSFH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44







